مواصفات التكنولوجيا 1N3892R
المواصفات الفنية GeneSiC Semiconductor - 1N3892R والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor - 1N3892R
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.4 V @ 12 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 400 V | |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 200 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 25 µA @ 50 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 12A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3892R |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor 1N3892R.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N3892R | 1N3893 | 1N3892 | 1N3893 |
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.4 V @ 12 A | 1.4 V @ 12 A | 1.5 V @ 38 A | 1.5 V @ 38 A |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 300 V | 25 µA @ 50 V |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 200 ns | 200 ns | 400 ns | 200 ns |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | 115pF @ 10V, 1MHz |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 | DO-4 | DO-4 | DO-203AA (DO-4) |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 12A | 12A | 12A | 12A |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| سلسلة | - | - | - | Military, MIL-PRF-19500/304 |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 400 V | 600 V | 300 V | 400 V |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3892R | 1N3893 | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N3892R PDF ووثائق GeneSiC Semiconductor لـ 1N3892R - GeneSiC Semiconductor.
1N3892JANMSC/STIGBT Module1N3892RJANTXMSC/STIGBT Module1N3893ASolid State Inc.12 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER D1N3893GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 12A DO41N3892MMSC/STIGBT Module1N3892Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 12A DO41N3893Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA1N3892RMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3892RASolid State Inc.12 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER D1N3893ARMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3892ASolid State Inc.12 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER D1N3892JANTXMSC/STIGBT Module1N3893AMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3892Microchip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3892AMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3893Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 12A DO41N3892GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 12A DO41N3892ARMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.