مواصفات التكنولوجيا MBR20030CT
المواصفات الفنية GeneSiC Semiconductor - MBR20030CT والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor - MBR20030CT
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 650 mV @ 100 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 30 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | Twin Tower | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | Twin Tower |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 mA @ 20 V | |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 200A (DC) | |
| رقم المنتج الأساسي | MBR20030 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor MBR20030CT.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MBR20030CT | MBR200200CT | MBR20020CT | MBR20035CT |
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| سلسلة | - | - | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | MBR20030 | MBR200200 | MBR20020 | MBR20035 |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 200A (DC) | 100A | 200A (DC) | 200A (DC) |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 30 V | 200 V | 20 V | 35 V |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - | - |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| حزمة / كيس | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 650 mV @ 100 A | 920 mV @ 100 A | 650 mV @ 100 A | 650 mV @ 100 A |
| تكنولوجيا | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 mA @ 20 V | 3 mA @ 200 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| تجار الأجهزة حزمة | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
قم بتنزيل أوراق بيانات MBR20030CT PDF ووثائق GeneSiC Semiconductor لـ MBR20030CT - GeneSiC Semiconductor.
MBR20045MOTOROLAIGBT ModuleMBR200200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWERMBR20040RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 200A 2TOWERMBR20020CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20025CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20030MOTOROLAIGBT ModuleMBR20015CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 200A 2TOWERMBR20030RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20035MOTOROLAIGBT ModuleMBR200100RMOTOROLAIGBT ModuleMBR200150CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWERMBR20030CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20020MOTOROLAIGBT ModuleMBR20035RMOTOROLAIGBT ModuleMBR20040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 200A 2TOWERMBR20040MOTOROLAIGBT Module| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.