مواصفات التكنولوجيا MBR7535
المواصفات الفنية GeneSiC Semiconductor - MBR7535 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor - MBR7535
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 750 mV @ 75 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 35 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1 mA @ 35 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 75A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | MBR7535 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor MBR7535.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MBR7535 | MBR745-E3/45 | MBR7520 | MBR745 |
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | GeneSiC Semiconductor | Taiwan Semiconductor Corporation |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud | TO-220-2 | DO-203AB, DO-5, Stud | TO-220-2 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1 mA @ 35 V | 100 µA @ 45 V | 5 mA @ 20 V | 100 µA @ 45 V |
| طَرد | Bulk | Tube | Bulk | Tube |
| رقم المنتج الأساسي | MBR7535 | MBR745 | - | - |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 | TO-220AC | DO-5 | TO-220AC |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | Through Hole | Chassis, Stud Mount | Through Hole |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 35 V | 45 V | 20 V | 45 V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 75A | 7.5A | 75A | 7.5A |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 750 mV @ 75 A | 840 mV @ 15 A | 650 mV @ 75 A | - |
| تكنولوجيا | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
قم بتنزيل أوراق بيانات MBR7535 PDF ووثائق GeneSiC Semiconductor لـ MBR7535 - GeneSiC Semiconductor.
MBR745-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO220AC
MBR745-E3/54Electro-Films (EFI) / VishayMBR7520GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 75A DO5MBR745Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO220AC
MBR7545Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 45V 75A DO5MBR7545GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 75A DO5MBR745CTTaiwan SemiconductorMBR7525MOTOROLAIGBT ModuleMBR80100GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 100V 80A DO5MBR75100GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 100V 75A DO5MBR760-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220AC
MBR745GonsemiDIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO220-2
MBR760Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220ACMBR7530GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 75A DO5MBR7540GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 75A DO5MBR760onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220-2L
MBR760SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 60V TO220ACMBR7535Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 35V 75A DO5| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.