مواصفات التكنولوجيا MBR760-E3/45
المواصفات الفنية Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR760-E3/45 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR760-E3/45
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 750 mV @ 7.5 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 60 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AC | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | TO-220-2 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 500 µA @ 60 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 7.5A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | MBR760 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR760-E3/45.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MBR760-E3/45 | MBR8060 | MBR8045 | MBR7545 |
| الصانع | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 7.5A | 80A | 80A | 75A |
| تصاعد نوع | Through Hole | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 750 mV @ 7.5 A | 750 mV @ 80 A | 650 mV @ 80 A | - |
| طَرد | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| سلسلة | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 500 µA @ 60 V | 5 mA @ 20 V | 1 mA @ 45 V | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AC | DO-5 | DO-5 | DO-5 |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 60 V | 60 V | 45 V | 45 V |
| رقم المنتج الأساسي | MBR760 | - | - | - |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| حزمة / كيس | TO-220-2 | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
قم بتنزيل أوراق بيانات MBR760-E3/45 PDF ووثائق Vishay General Semiconductor - Diodes Division لـ MBR760-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
MBR8060GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 80A DO5MBR8045GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5MBR7545Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 45V 75A DO5
MBR760SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 60V TO220AC
MBR8100LITEONMBR80100GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 100V 80A DO5MBR8035GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 80A DO5MBR7530GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 75A DO5MBR8020GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 80A DO5MBR7535Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 35V 75A DO5MBR7545GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 75A DO5
MBR760onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220-2LMBR8025MOTOROLAIGBT ModuleMBR7535GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 75A DO5
MBR760Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220ACMBR7540GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 75A DO5MBR8040GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 80A DO5MBR8030GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 80A DO5| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.