مواصفات التكنولوجيا GD25S512MDYIGR
المواصفات الفنية GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25S512MDYIGR والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25S512MDYIGR
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | GigaDevice | |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | 50µs, 2.4ms | |
| الجهد - توريد | 2.7V ~ 3.6V | |
| تكنولوجيا | FLASH - NOR | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-WSON (6x8) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | 8-WDFN Exposed Pad | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| نوع الذاكرة | Non-Volatile | |
| حجم الذاكرة | 512Mbit | |
| تنظيم الذاكرة | 64M x 8 | |
| واجهة الذاكرة | SPI - Quad I/O | |
| تنسيق الذاكرة | FLASH | |
| تردد على مدار الساعة | 104 MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | GD25S512 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDYIGR.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | GD25S512MDYIGR | GD25WD80CEIGR | GD25WD20CTIG | GD25S512MDFIGR |
| الصانع | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| واجهة الذاكرة | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-WSON (6x8) | 8-USON (2x3) | 8-SOP | 16-SOP |
| حزمة / كيس | 8-WDFN Exposed Pad | 8-XFDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| تنظيم الذاكرة | 64M x 8 | 1M x 8 | 256K x 8 | 64M x 8 |
| حجم الذاكرة | 512Mbit | 8Mbit | 2Mbit | 512Mbit |
| تكنولوجيا | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | 50µs, 2.4ms | - | - | 50µs, 2.4ms |
| نوع الذاكرة | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| تنسيق الذاكرة | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| الجهد - توريد | 2.7V ~ 3.6V | 1.65V ~ 3.6V | 1.65V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| تردد على مدار الساعة | 104 MHz | - | - | 104 MHz |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| رقم المنتج الأساسي | GD25S512 | GD25WD80 | GD25WD20 | GD25S512 |
قم بتنزيل أوراق بيانات GD25S512MDYIGR PDF ووثائق GigaDevice Semiconductor (HK) Limited لـ GD25S512MDYIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited.
GD25WD40CTGDGD25R04IRIGBT ModuleGD25R06IRIGBT ModuleGD25WD80CEIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLSH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8USONGD25R08IRIGBT ModuleGD25VQ21BUIGRGDGD25WD20CTIGGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 2MBIT SPI/QUAD I/O 8SOPGD25R16IRIGBT ModuleGD25S512MDFIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOPGD25R32WIGGINADEVICEGD25WD40CTIGGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOPGD25S512MDYIGGDGD25R12IRIGBT ModuleGD25WD05COIGRGDGD25VQ41BUIGRGDGD25WD40CEIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLSH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8USONGD25VE16CEIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USONGD25R14IRIGBT Module| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.