مواصفات التكنولوجيا GD25VE16CEIGR
المواصفات الفنية GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25VE16CEIGR والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25VE16CEIGR
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | GigaDevice | |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | - | |
| الجهد - توريد | 2.1V ~ 3.6V | |
| تكنولوجيا | FLASH - NOR | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-USON (2x3) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | 8-XFDFN Exposed Pad | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| نوع الذاكرة | Non-Volatile | |
| حجم الذاكرة | 16Mbit | |
| تنظيم الذاكرة | 2M x 8 | |
| واجهة الذاكرة | SPI - Quad I/O | |
| تنسيق الذاكرة | FLASH | |
| تردد على مدار الساعة | 104 MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | GD25VE16 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CEIGR.
| سمة المنتج |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | GD25VE16CEIGR | GD25WD40CEIGR | GD25WD40CTIG | GD25WD80CTIG |
| الصانع | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| الجهد - توريد | 2.1V ~ 3.6V | 1.65V ~ 3.6V | 1.65V ~ 3.6V | 1.65V ~ 3.6V |
| تنظيم الذاكرة | 2M x 8 | 512K x 8 | 512K x 8 | 1M x 8 |
| حجم الذاكرة | 16Mbit | 4Mbit | 4Mbit | 8Mbit |
| تنسيق الذاكرة | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| واجهة الذاكرة | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| رقم المنتج الأساسي | GD25VE16 | GD25WD40 | GD25WD40 | GD25WD80 |
| حزمة / كيس | 8-XFDFN Exposed Pad | 8-XFDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| نوع الذاكرة | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-USON (2x3) | 8-USON (2x3) | 8-SOP | 8-SOP |
| تردد على مدار الساعة | 104 MHz | - | - | - |
| تكنولوجيا | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
قم بتنزيل أوراق بيانات GD25VE16CEIGR PDF ووثائق GigaDevice Semiconductor (HK) Limited لـ GD25VE16CEIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited.
GD25S512MDYIGGDGD25VQ41BUIGRGDGD25WD40CEIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLSH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8USONGD25WD40CTGDGD25R32WIGGINADEVICEGD25WD40CTIGGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOPGD25WD80CTIGGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8SOPGD25R12IRIGBT Module
GD25S512MDFIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOPGD25WD80CEIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLSH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8USONGD25VQ21BUIGRGDGD25R14IRIGBT ModuleGD25WD05COIGRGDGD25WD20CTIGGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 2MBIT SPI/QUAD I/O 8SOPGD25R08IRIGBT ModuleGD25R06IRIGBT ModuleGD25R16IRIGBT Module
GD25S512MDYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.