مواصفات التكنولوجيا RGT50TS65DGC13
المواصفات الفنية Rohm Semiconductor - RGT50TS65DGC13 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor - RGT50TS65DGC13
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | LAPIS Technology | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 650 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.1V @ 15V, 25A | |
| اختبار حالة | 400V, 25A, 10Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 27ns/88ns | |
| تحويل الطاقة | - | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247G | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 58 ns | |
| السلطة - ماكس | 174 W |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | Trench Field Stop | |
| بوابة المسؤول | 49 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 75 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 48 A | |
| رقم المنتج الأساسي | RGT50 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor RGT50TS65DGC13.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | RGT50TS65DGC13 | RGTH60TS65DGC11 | RGTH60TS65GC11 | FGP30N6S2 |
| الصانع | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | onsemi |
| نوع المدخلات | Standard | Standard | Standard | Standard |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247G | TO-247N | TO-247N | TO-220-3 |
| السلطة - ماكس | 174 W | 194 W | 197 W | 167 W |
| سلسلة | - | - | - | - |
| اختبار حالة | 400V, 25A, 10Ohm, 15V | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| بوابة المسؤول | 49 nC | 58 nC | 58 nC | 23 nC |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 58 ns | 58 ns | - | - |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 27ns/88ns | 27ns/105ns | 27ns/105ns | 6ns/40ns |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.1V @ 15V, 25A | 2.1V @ 15V, 30A | 2.1V @ 15V, 30A | 2.5V @ 15V, 12A |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-220-3 |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 75 A | 120 A | 120 A | 108 A |
| رقم المنتج الأساسي | RGT50 | RGTH60 | RGTH60 | FGP3 |
| تحويل الطاقة | - | - | - | 55µJ (on), 100µJ (off) |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 48 A | 58 A | 58 A | 45 A |
| نوع IGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop | - |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 650 V | 650 V | 650 V | 600 V |
RGTH60TS65DGC11Rohm SemiconductorIGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247NRGTH60TS65DLAPIS TechnologyRGTH60TS65GC11Rohm SemiconductorIGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247NFGP30N6S2onsemiIGBT 600V 45A 167W TO220ABISL9V3040P3onsemiIGBT 430V 21A TO220-3
IRGB14C40LPBFInfineon TechnologiesIGBT 430V 20A TO220AB
STGW20NC60VDSTMicroelectronicsIGBT 600V 60A 200W TO247
SGP07N120XKSA1Infineon TechnologiesIGBT 1200V 16.5A 125W TO220
STGB10NB37LZSTMicroelectronicsIGBT 440V 20A 125W D2PAKRGT30TM65DLAPIS TechnologyRGTH60TW65DGC13LAPIS Technology
RGT8BM65DTLRohm SemiconductorIGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252RGTH00TS65DG C11LAPIS TechnologyRGTH60TS65DGC13Rohm SemiconductorIGBT TRENCH FIELD 650V 58A TO247RGTH40TS65DGC11Rohm SemiconductorIGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
TIG052TS-TL-EonsemiIGBT 400V 8TSSOPRGT40TS65DGLAPIS TechnologyRGTH60TS65DGLAPIS Technology| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.