مواصفات التكنولوجيا RGTH60TS65DGC11
المواصفات الفنية Rohm Semiconductor - RGTH60TS65DGC11 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor - RGTH60TS65DGC11
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | LAPIS Technology | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 650 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.1V @ 15V, 30A | |
| اختبار حالة | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 27ns/105ns | |
| تحويل الطاقة | - | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247N | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 58 ns | |
| السلطة - ماكس | 194 W |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | Trench Field Stop | |
| بوابة المسؤول | 58 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 120 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 58 A | |
| رقم المنتج الأساسي | RGTH60 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Rohm Semiconductor RGTH60TS65DGC11.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | RGTH60TS65DGC11 | NGD15N41ACLT4G | IXGH30N60C3 | IXGH30N60BU1 |
| الصانع | Rohm Semiconductor | Littelfuse Inc. | IXYS | IXYS |
| بوابة المسؤول | 58 nC | - | 38 nC | 110 nC |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 650 V | 440 V | 600 V | 600 V |
| رقم المنتج الأساسي | RGTH60 | - | IXGH30 | IXGH30 |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| طَرد | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| تحويل الطاقة | - | - | 270µJ (on), 90µJ (off) | 1mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247N | TO-252, (D-Pak) | TO-247AD | TO-247AD |
| اختبار حالة | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | 300V, 6.5A, 1kOhm | 300V, 20A, 5Ohm, 15V | 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 58 ns | - | - | 50 ns |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.1V @ 15V, 30A | 2.2V @ 4V, 10A | 3V @ 15V, 20A | 1.8V @ 15V, 30A |
| السلطة - ماكس | 194 W | 107 W | 220 W | 200 W |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 58 A | 15 A | 60 A | 60 A |
| نوع المدخلات | Standard | Logic | Standard | Standard |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 27ns/105ns | -/4µs | 16ns/42ns | 25ns/130ns |
| سلسلة | - | - | GenX3™ | HiPerFAST™ |
| نوع IGBT | Trench Field Stop | - | PT | - |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 120 A | 50 A | 150 A | 120 A |
RGTH60TS65DLAPIS TechnologyNGD15N41ACLT4GLittelfuse Inc.IGBT 440V 15A DPAKIXGH30N60C3IXYSIGBT 600V 60A 220W TO247ADRGT30TM65DLAPIS TechnologyRGTH60TS65DGLAPIS TechnologyIXGH30N60BU1IXYSIGBT 600V 60A 200W TO247ADRGTH60TS65GC11Rohm SemiconductorIGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247NRGTH60TW65DGC13LAPIS Technology
STGWT20H60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 40A 167W TO3PF
IRG6I320UPBFInfineon TechnologiesIGBT 330V 24A 39W TO220ABFPRGTH60TS65DGC13Rohm SemiconductorIGBT TRENCH FIELD 650V 58A TO247
STGB20M65DF2STMicroelectronicsIGBT TRENCH 650V 40A D2PAKRGTH00TS65DG C11LAPIS Technology
STGF7H60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 14A 24W TO-220FPRGT40TS65DGLAPIS TechnologyRGTH40TS65DGC11Rohm SemiconductorIGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247NRGT50TS65DGC13Rohm SemiconductorIGBT TRNCH FIELD 650V 48A TO247G
RGT8BM65DTLRohm SemiconductorIGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.