مواصفات التكنولوجيا 1N3297AR
المواصفات الفنية Microchip Technology - 1N3297AR والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology - 1N3297AR
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microchip Technology | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 200 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1400 V | |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-205AA (DO-8) | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-205AA, DO-8, Stud |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | |
| تصاعد نوع | Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 50 µA @ 1400 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 150A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3297 |
| يصف | وصف |
|---|---|
| حالة RoHs | بنفايات غير متوافقة |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | |
| الوصول إلى الحالة | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microchip Technology 1N3297AR.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N3297AR | 1N3297AR | 1N3297 | 1N3296RA |
| الصانع | Microchip Technology | Powerex Inc. | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) | DO-8 | DO-8 |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | -40°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 200 A | 1.5 V @ 100 A | 1.2 V @ 200 A | 1.2 V @ 200 A |
| سلسلة | - | - | - | - |
| طَرد | Bulk | Bulk | Box | Box |
| تصاعد نوع | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 150A | 100A | 100A | 100A |
| حزمة / كيس | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3297 | 1N3297 | - | - |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1400 V | 1400 V | 1400 V | 1200 V |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 50 µA @ 1400 V | 7 mA @ 1400 V | 50 µA @ 1400 V | 50 µA @ 1200 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N3297AR PDF ووثائق Microchip Technology لـ 1N3297AR - Microchip Technology.
1N3297ARPowerex Inc.DIODE GP REV 1.4KV 100A DO205AA
1N3296RBMicrosemiIGBT Module
1N3298ARGeneral Semiconductor (Vishay)IGBT Module1N3298RAMicrosemiIGBT Module1N3297Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 100A DO81N3299AMicrosemiIGBT Module
1N3305AMicrochip TechnologyDIODE ZENER 6.8V 50W DO51N3298AMicrosemiIGBT Module1N3296RASolid State Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO81N3299MicrosemiIGBT Module1N3296RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3297Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3298MicrosemiIGBT Module
1N3305ASolid State Inc.DO5 50 WATT ZENER DIODES1N3296RSolid State Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO8
1N3297ARGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 1.4KV 100A DO205AA1N3296ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3305Solid State Inc.DO5 50 WATT ZENER DIODES| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ يرجى إضافة إلى CART ، وسوف نتصل بك على الفور.