مواصفات التكنولوجيا QH08TZ600
المواصفات الفنية Power Integrations - QH08TZ600 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Power Integrations - QH08TZ600
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Power Integrations | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 3.15 V @ 8 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AC | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | Qspeed™ | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 11.1 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-2 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 150°C (Max) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 250 µA @ 600 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 8A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 25pF @ 10V, 1MHz |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Power Integrations QH08TZ600.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | QH08TZ600 | QH05TZ600 | MDO600-16N1 | 1N2056R |
| الصانع | Power Integrations | Power Integrations | IXYS | Solid State Inc. |
| طَرد | Tube | Tube | Box | Box |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 150°C (Max) | 150°C (Max) | - | -65°C ~ 190°C |
| سلسلة | Qspeed™ | Qspeed™ | - | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount | Stud Mount |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 3.15 V @ 8 A | 3.1 V @ 5 A | 1.3 V @ 1200 A | 1.3 V @ 300 A |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 11.1 ns | 10 ns | - | - |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 250 µA @ 600 V | 250 µA @ 600 V | 30 mA @ 1600 V | 75 µA @ 150 V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 25pF @ 10V, 1MHz | 17pF @ 10V, 1MHz | 762pF @ 400V, 1MHz | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AC | TO-220AC | Module | DO-9 |
| حزمة / كيس | TO-220-2 | TO-220-2 | Module | DO-205AB, DO-9, Stud |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | 600 V | 1600 V | 150 V |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 8A | 5A | 608A | 275A |
قم بتنزيل أوراق بيانات QH08TZ600 PDF ووثائق Power Integrations لـ QH08TZ600 - Power Integrations.
QH05TZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACMDO600-16N1IXYSDIODE GEN PURP 1.6KV 608A MODULE1N2056RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 275A DO9
BAT54LP-7BDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2DFN
QH0P ESIntel
1N5814RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
SS36-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB
S4PJHM3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
BYG22D-E3/TR3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
MURS360BT3GonsemiDIODE GEN PURP 600V 3A SMBQH03TZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 3A TO220AC
QH05BZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 5A TO263ABQH08BZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
DFLR1600Q-7Diodes IncorporatedDIODE GP 600V 1A POWERDI123DSA35-16AIXYSDIODE AVAL 1.6KV 49A DO203AB
MUR220GonsemiDIODE GEN PURP 200V 2A AXIALQH03BZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB
MBRS340T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.