مواصفات التكنولوجيا S1BHE3_A/H
المواصفات الفنية Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S1BHE3_A/H والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S1BHE3_A/H
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 1 A | |
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | |
تكنولوجيا | Standard | |
تجار الأجهزة حزمة | DO-214AC (SMA) | |
سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
سلسلة | Automotive, AEC-Q101 | |
عكس وقت الاسترداد (TRR) | 1.8 µs |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
حزمة / كيس | DO-214AC, SMA | |
طَرد | Tape & Reel (TR) | |
درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
تصاعد نوع | Surface Mount | |
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1 µA @ 100 V | |
الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | |
السعة @ الواقع الافتراضي، F | 12pF @ 4V, 1MHz | |
رقم المنتج الأساسي | S1B |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1BHE3_A/H.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | S1BHE3_A/H | S1B-13-F | S1BB-13-F | S1BHE3/61T |
الصانع | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
تجار الأجهزة حزمة | DO-214AC (SMA) | SMA | SMB | DO-214AC (SMA) |
درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
حزمة / كيس | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AA, SMB | DO-214AC, SMA |
سلسلة | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
رقم المنتج الأساسي | S1B | S1B | S1B | S1B |
الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | 1A | 1A | 1A |
تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V | 1 µA @ 100 V |
طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
السعة @ الواقع الافتراضي، F | 12pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | - |
عكس وقت الاسترداد (TRR) | 1.8 µs | 3 µs | 3 µs | 1.8 µs |
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
قم بتنزيل أوراق بيانات S1BHE3_A/H PDF ووثائق Vishay General Semiconductor - Diodes Division لـ S1BHE3_A/H - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.