مواصفات التكنولوجيا GD25WQ32ESIGR
المواصفات الفنية GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25WQ32ESIGR والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25WQ32ESIGR
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | GigaDevice | |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | 120µs, 4ms | |
| الجهد - توريد | 1.65V ~ 3.6V | |
| تكنولوجيا | FLASH - NOR (SLC) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOP | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| نوع الذاكرة | Non-Volatile | |
| حجم الذاكرة | 32Mbit | |
| تنظيم الذاكرة | 4M x 8 | |
| واجهة الذاكرة | SPI - Quad I/O | |
| تنسيق الذاكرة | FLASH | |
| تردد على مدار الساعة | 104 MHz | |
| وقت الدخول | 8 ns |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32ESIGR.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | GD25WQ32ESIGR | GD25WD20CTIG | GD25WD80CEIGR | GD25WD40CEIGR |
| الصانع | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تنظيم الذاكرة | 4M x 8 | 256K x 8 | 1M x 8 | 512K x 8 |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOP | 8-SOP | 8-USON (2x3) | 8-USON (2x3) |
| تنسيق الذاكرة | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| تردد على مدار الساعة | 104 MHz | - | - | - |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | 120µs, 4ms | - | - | - |
| الجهد - توريد | 1.65V ~ 3.6V | 1.65V ~ 3.6V | 1.65V ~ 3.6V | 1.65V ~ 3.6V |
| حجم الذاكرة | 32Mbit | 2Mbit | 8Mbit | 4Mbit |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-XFDFN Exposed Pad | 8-XFDFN Exposed Pad |
| وقت الدخول | 8 ns | - | - | - |
| واجهة الذاكرة | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| نوع الذاكرة | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| تكنولوجيا | FLASH - NOR (SLC) | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
قم بتنزيل أوراق بيانات GD25WQ32ESIGR PDF ووثائق GigaDevice Semiconductor (HK) Limited لـ GD25WQ32ESIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited.
GD25WD20CTIGGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 2MBIT SPI/QUAD I/O 8SOPGD29GL064CAB-70GGDGD25S512MDYIGGDGD25WD80CEIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLSH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8USONGD25WQ16EEIGRGDGD25WD05COIGRGDGD25WD40CEIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLSH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8USON
GD25WQ64ESIGRGigaDevice Semiconductor (HK) Limited64MBIT, 1.65V-3.6V, SOP8 208MIL,GD29GL064CABGigaDevicGD25WQ16ETIGRGDGD25VQ21BUIGRGDGD25VQ41BUIGRGDGD25WD80CTIGGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8SOPGD25WD40CTIGGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOPGD26PIT120C5SSTARPOWERIGBT ModuleGD25VE16CEIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON
GD25S512MDYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSONGD25WD40CTGD| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.