مواصفات التكنولوجيا APT10DC120HJ
المواصفات الفنية Microsemi Corporation - APT10DC120HJ والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microsemi Corporation - APT10DC120HJ
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microsemi | |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس) | 1.2 kV | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.8 V @ 10 A | |
| تكنولوجيا | Silicon Carbide Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-227 | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | SOT-227-4, miniBLOC |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | |
| نوع الصمام الثنائي | Single Phase | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 200 µA @ 1200 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 10 A | |
| رقم المنتج الأساسي | APT10DC120 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microsemi Corporation APT10DC120HJ.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | APT10DC120HJ | APT10M11JVFR | APT10M07JVR | APT100M50J |
| الصانع | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microchip Technology |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 10 A | - | - | - |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.8 V @ 10 A | - | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | APT10DC120 | APT10M11 | - | APT100 |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| طَرد | Bulk | Tube | Bulk | Tube |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 200 µA @ 1200 V | - | - | - |
| تكنولوجيا | Silicon Carbide Schottky | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس) | 1.2 kV | - | - | - |
| سلسلة | - | POWER MOS V® | POWER MOS V® | - |
| نوع الصمام الثنائي | Single Phase | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| حزمة / كيس | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-227 | ISOTOP® | ISOTOP® | SOT-227 |
APT10M11JVFRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 144A ISOTOPAPT10M07JVRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 100V 225A ISOTOPAPT100M50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 103A SOT227
APT10M07APTIGBT ModuleAPT100S20LCTGMicrochip TechnologyDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264APT106N60B2C6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 106A T-MAX
APT100S20BMicrosemiAPT10M11JVRU3Microchip TechnologyMOSFET N-CH 100V 142A SOT227APT10M09JVRMicrosemiIGBT ModuleAPT10M11JVRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP
APT100GT60JRMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOPAPT106N60LC6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 106A TO264APT10M11JVRU2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 100V 142A SOT227APT10M11LVRAPTAPT100S20BGMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247APT105-R95MOGAPTAPT10M07JVFRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 225A ISOTOPAPT100GT60JRDQ4Microchip TechnologyIGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.