مواصفات التكنولوجيا APT10M11JVR
المواصفات الفنية Microsemi Corporation - APT10M11JVR والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Microsemi Corporation - APT10M11JVR
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Microsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 2.5mA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | ISOTOP® | |
| سلسلة | POWER MOS V® | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 450W (Tc) | |
| حزمة / كيس | SOT-227-4, miniBLOC | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 10300 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 450 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 144A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Microsemi Corporation APT10M11JVR.
| سمة المنتج |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | APT10M11JVR | APT10M11JVRU3 | APT106N60B2C6 | APT10M07JVFR |
| الصانع | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| حزمة / كيس | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 Variant | SOT-227-4, miniBLOC |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 450W (Tc) | 450W (Tc) | 833W (Tc) | - |
| سلسلة | POWER MOS V® | - | CoolMOS™ | POWER MOS V® |
| تجار الأجهزة حزمة | ISOTOP® | SOT-227 | T-MAX™ [B2] | ISOTOP® |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±20V | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 144A (Tc) | 142A (Tc) | 106A (Tc) | 225A (Tc) |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount |
| طَرد | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 450 nC @ 10 V | 300 nC @ 10 V | 308 nC @ 10 V | 1050 nC @ 10 V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 100 V | 600 V | 100 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 2.5mA | 4V @ 2.5mA | 3.5V @ 3.4mA | 4V @ 5mA |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 10300 pF @ 25 V | 8600 pF @ 25 V | 8390 pF @ 25 V | 21600 pF @ 25 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
قم بتنزيل أوراق بيانات APT10M11JVR PDF ووثائق Microsemi Corporation لـ APT10M11JVR - Microsemi Corporation.
APT10M11JVRU3Microchip TechnologyMOSFET N-CH 100V 142A SOT227
APT10M30AVRAPTIGBT Module
APT10SCD65KMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 650V 17A TO220APT10M19SVRAPTIGBT ModuleAPT10DC120HJMicrosemi CorporationBRIDGE RECT 1P 1.2KV 10A SOT227APT10M09JVRMicrosemiIGBT ModuleAPT106N60B2C6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 106A T-MAXAPT105-R95MOGAPTAPT10M07JVFRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 225A ISOTOPAPT10M11JVRU2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 100V 142A SOT227APT10M25SVRAPTIGBT ModuleAPT106N60LC6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 106A TO264APT10M07JVRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 100V 225A ISOTOPAPT10M11JVFRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 144A ISOTOPAPT10M11LVRAPTAPT10M07APTIGBT ModuleAPT10M15JNRMicrosemiIGBT ModuleAPT10M19BVRVBSEMI| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.